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IRF3710PBF TO-220 N沟道场效应管MOS管电子封装元器件参数PDF

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  • 发布日期：2024-01-27
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第16年

广州广新电子有限公司

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  • 营业执照：已审核营业执照
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  • 所在地区：广东 广州
  • 家家通积分：23496分
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详细参数

产品详情

品牌：GXDZ

,

型号：IRF3710PBF

,

封装：TO-220

,

批号：新年份

,

FET类型：见规格书

,

漏源电压（Vdss）：见规格书

,

漏极电流(Id)：见规格书

,

漏源导通电阻(RDS On)：见规格书

,

栅源电压(Vgs)：见规格书

,

栅极电荷(Qg)：见规格书

,

反向恢复时间：见规格书

,

最大耗散功率：见规格书

,

配置类型：见规格书

,

工作温度范围：0C-105C

,

安装类型：SMT

,

应用领域：新能源,家用电器,3C数码,汽车电子,测量仪器,智能家居,网络通信,安防设备,广电教育,医疗电子,照明电子,可穿戴设备,物联网IoT,军工/航天

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