品牌：GXDZ

型号：TS820-600B-TR

封装：元器件配单,咨询单价/起批量,可控硅MOS场效应管,二三极管集成电路芯片IC

批号：新年份

晶体管极性：二三极管集成IC

集射极击穿电压(VCEO)：MOS场效应管单向双向可控硅

最大集电极电流(Icm)：铝电解云母和特氟龙氧化铌钽可调式硅薄膜超级陶瓷阵列网络电容器

电流放大系数(hFE)：快速标准桥式肖特基超高速整流器阵列整流设备

特征频率：N/P沟道双路汽车MOSFET阵列模块场效应管

最大耗散功率：SCR双向触发二极管DIAC高压触发二极管SIDAC双向晶TRIAC晶闸管

工作温度范围：IGBT模块JFET双极BJT 预偏置双极 RF开关达林顿功率数字配电阻(RET) 复合晶体管

安装类型：PIN小信号开关肖特基快恢复变容齐纳稳压TVS瞬变抑制ESD通用功率整流二极管

应用领域：机械设备

MOS场效应管：驱动模拟逻辑嵌入式接口时钟定时存储数据转换器放大器光耦合器光电耦合器无线射频仿真器芯片集成电路IC

TVS ESD：PIN小信号开关肖特基变容齐纳(稳压) TVS瞬变抑制ESD通用功率整流二极管

单向双向可控硅：MOS场效应管单向双向可控硅